陶瓷材料特有的高強(qiáng)度、耐熱性、穩(wěn)定性等特點(diǎn)，被人們普遍看好用作集成電路板的制造材料。目前作為集成電路基板的陶瓷材料主要有氧化鋁、氧化鈹、碳化硅及氮化鋁等，其中以氧化鋁應(yīng)用最為普遍。

     這類(lèi)陶瓷的介電損耗低，機(jī)械強(qiáng)度高，已被廣泛應(yīng)用于基板材料。氧化鈹最大的優(yōu)點(diǎn)是導(dǎo)熱系數(shù)高，但制造工藝較復(fù)雜，成本高，毒性大，限制了它的使用。碳化硅的導(dǎo)熱性?xún)?yōu)于氧化鋁，有人采用熱壓方法，已制成高性能基板，工作到２００℃左右時(shí)其性能仍能滿(mǎn)足實(shí)用要求，但是由于添加劑有毒性，同時(shí)熱壓燒結(jié)工藝復(fù)雜，限制了它的發(fā)展。近年來(lái)氮化鋁基板引起國(guó)內(nèi)外的普遍關(guān)注。日本商品化生產(chǎn)氮化鋁的熱傳導(dǎo)率是目前廣泛使用的氧化鋁瓷熱傳導(dǎo)率的１０倍左右，其他電性能也和氧化鋁陶瓷大致相當(dāng)，有希望成為超大規(guī)模集成電路的下一代優(yōu)質(zhì)基板材料。